Apple przełączy się z używania TLC (komórka trójpoziomowa) NAND flash na MLC (komórka wielopoziomowa) NAND flash w iPhone 6 i iPhone 6 Plus po tym, jak użytkownicy doświadczony problemy z awariami i pętlą rozruchową w wersjach obu urządzeń o większej pojemności, raporty BiznesKorea .
Źródła poinformowały gazetę, że winę za wady produkcyjne ponosi firma Anobit zajmująca się pamięciami flash, którą Apple nabył w 2011 roku. Apple podobno przełączy się na pamięć flash MLC NAND dla iPhone'a 6 64 GB i iPhone'a 6 Plus 128 GB, a także rozwiąże problemy z awariami i pętlą rozruchową w wydaniu iOS 8.1.1. Firma Apple używała wcześniej pamięci flash MLC NAND w iPhone'ach poprzedniej generacji.
TLC NAND flash to rodzaj półprzewodnikowej pamięci flash NAND, która przechowuje trzy bity danych na komórkę. Może przechowywać trzy razy więcej danych niż jednopoziomowa komórka (SLC), która przechowuje jeden bit danych, i 1,5 razy więcej niż wielopoziomowa pamięć flash (MLC) półprzewodnikowa, która przechowuje dwa bity danych. Ponadto flash TLC jest bardziej przystępny cenowo. Jednak jest również wolniejszy niż SLC lub MLC w odczytywaniu i zapisywaniu danych.
Firma Apple udostępniła deweloperom swoją pierwszą wersję beta iOS 8.1.1 dla programistów na początku tego tygodnia, chociaż firma nie określiła, czy dołączone poprawki błędów dotyczyły pętli rozruchowych i problemów z awariami na iPhone'ach 6 i iPhone'ach 6 Plus. Użytkownikom, którzy doświadczają nietypowej liczby pętli rozruchowych i awarii podczas korzystania z iPhone'a 6 lub iPhone'a 6 Plus, zaleca się oddanie swoich urządzeń z powrotem do sklepu detalicznego Apple Store w celu wymiany.
Popularne Wiadomości